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摘要

本视频由“被被子封印的疯子”制作,主要介绍了电化学阻抗谱(EIS)的基础知识和分析技巧。视频从复数坐标系中的尼奎斯特图入手,解释了阻抗谱中实部与虚部的物理意义(电阻控制实部,电容/电感控制虚部),并详细分析了高频端信号特征(如介质电阻、感抗弧、高频相移等)、阻抗谱与波特图的关联(波峰数量对应时间常数),以及扩散阻抗信号的分类(如沃尔伯格扩散、有限层扩散等)。最后提供了拟合复杂阻抗谱的实用思路,强调数形结合与函数解析式的重要性。

亮点

  • 📊 复数坐标系基础:阻抗谱尼奎斯特图基于复数平面,实部由电阻成分决定,虚部由电容/电感成分决定,两者共同形成半圆弧或直线信号。
  • 🔍 高频端信号解析:高频端可能呈现介质电阻(溶液电阻)、感抗弧或高频相移,后者可通过更换参比电极或提高溶液电导率消除。
  • 📈 阻抗谱与波特图关联:波特图的波峰数量对应尼奎斯特图的容抗弧/感抗弧数量,反映电化学过程中的时间常数(表面过程数量)。
  • 🧩 扩散阻抗分类:平面电极扩散信号分为沃尔伯格扩散(45°直线)、有限层扩散(低频容抗弧)和阻挡层扩散(低频垂直线),三者可能相互转化。
  • ⚙️ 拟合复杂阻抗谱:曲线向上弯需考虑容抗弧(电容相关元件),向下弯则需感抗弧(电感相关元件),扩散信号倾角偏离45°提示容/感抗干扰。

#电化学阻抗谱 #尼奎斯特图 #波特图 #扩散阻抗 #EIS分析

思考

  1. 如何判断阻抗谱中的高频相移是由参比电极内阻还是溶液电导率不足引起的?
  2. 在实际实验中,若沃尔伯格扩散信号倾角偏离45°,如何设计实验验证是容抗还是感抗的影响?
  3. 为什么阻抗谱拟合时即使尼奎斯特图显示单一容抗弧,仍可能需要双容抗弧电路模型?